دیتاشیت SI2323DS-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2323DS-T1-GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 201.988 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI2323DS-T1-GE3 |
SI2323DS-T1-GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2323DS-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 750mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 19nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1020pF@10V
- Continuous Drain Current (Id): 3.7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 39mΩ@4.5V,4.7A
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Vishay Intertech
- Part id: 519763
